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   MEMS芯片在封裝完成之前,會(huì)對(duì)機(jī)械撞擊非常敏感,而且特別容易被劃片時(shí)的顆粒污染損壞。因而,一些晶圓加工廠會(huì)進(jìn)行部分或全部的封裝工藝。在使用掩膜版進(jìn)行分*或者晶圓級(jí)工藝操作過(guò)程中,必須很好的保護(hù)MEMS芯片的動(dòng)作空間。最常見(jiàn)的MEMS封裝要求是在不限制機(jī)械行為的前提下進(jìn)行保護(hù),但是,并不能簡(jiǎn)單地從過(guò)去針對(duì)單純的電子芯片開(kāi)發(fā)的技術(shù)中直接得到解決方法。電子器件通常會(huì)過(guò)成型操作,并有密封劑接觸芯片表面,因而這種方法會(huì)影響MEMS器件中的可動(dòng)部分。




   在過(guò)去10年里,微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)大量地“借用”那些起初是為軍方高可靠性應(yīng)用而開(kāi)發(fā)的封裝技術(shù)。雖然這類(lèi)封裝在MEMS中的表現(xiàn)良好,但與之相關(guān)的成本卻高達(dá)單個(gè)MEMS器件價(jià)格;70%?,F(xiàn)在,隨著晶圓級(jí)封裝(WLP)和微流體技術(shù)的進(jìn)步, MEMS封裝技術(shù)也在不斷演化發(fā)展。

     在MEMS生產(chǎn)制造過(guò)程中,晶圓制造占成本比例低,反倒是封測(cè)成本高,mems封裝,約占50%,主要在晶圓端MEMS只需采用0.35~0.5μm等成熟制程,不需進(jìn)入更高階制程,不過(guò)封裝端的精密度卻遠(yuǎn)高于半導(dǎo)體封裝,射頻模塊封裝,測(cè)試時(shí)間也較長(zhǎng),因此成本較高。



mems封裝優(yōu)勢(shì)

     微機(jī)電系統(tǒng)是按照功能在芯片上的集成,上海封裝,尺寸一般是在毫米以下,制作工藝更加精密,F(xiàn)bar封裝,需要更高的技術(shù),微機(jī)電系統(tǒng)早在國(guó)外就有應(yīng)用,我國(guó)起步晚,在MEMS方面的投入逐漸增大,所占市場(chǎng)股份越來(lái)越大。微機(jī)電系統(tǒng)的出現(xiàn)和發(fā)展是現(xiàn)代科學(xué)創(chuàng)新思維的結(jié)果,也是微觀尺度制造技術(shù)方面的進(jìn)化和革命。MEMS在傳感器領(lǐng)域應(yīng)用的最為廣泛,因?yàn)轶w積小,重量輕,成本的原因廣受歡迎,使多種領(lǐng)域?qū)w積小性能高的MEMS產(chǎn)品的需求迅速增長(zhǎng),在消費(fèi)電子、醫(yī)i療等領(lǐng)域就發(fā)現(xiàn)了大量的MEMS產(chǎn)品。



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