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氧化鋅(ZnO)晶體隨著環(huán)境條件的改變形成不同結(jié)構(gòu)的晶體。ZnO晶體中的化學(xué)鍵既有離子鍵的成分,氧化鋅晶體單晶價錢,又有共價鍵的成分,兩種成分的含量差不多,因而使得ZnO晶體中的化學(xué)鍵沒有離子晶體那么強,氧化鋅晶體單晶廠家,導(dǎo)致其在一定的外界條件下更容易發(fā)生晶體結(jié)構(gòu)上的改變。氧化鋅(ZnO)半導(dǎo)體室溫帶隙為3.37eV,氧化鋅晶體單晶襯底,且束縛激子能高達60MeV,使其在紫外半導(dǎo)體光電器件方面具有很大潛在應(yīng)用價值。誘人的應(yīng)用前景和制備難度使得ZnO晶體的生長技術(shù)成為材料研究的熱點。

氧化鋅(ZnO)晶體主要性能參數(shù):透過范圍:0.4-0.6 um > 50% at 2mm;晶向:<0001>、<11-20>、<10-10>±0.5o 尺寸(mm) 25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm可按照客戶需求,定制特殊方向和尺寸的襯底;表面粗糙度:Surface roughness(Ra):<=5A可提供原子粒顯微鏡(AFM)檢測報告拋光:單面或雙面;包裝:100 級潔凈袋,1000 級超凈室。

氧化鋅(ZnO)單晶是具有六方晶系纖鋅礦型化合物的晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體,其可直接躍 遷,禁帶寬度(Eg 3. 37eV)大。此外,山西氧化鋅晶體單晶,與其它半導(dǎo)體材料(GaN :21meV、ZnSe :20meV)相比, 其激子結(jié)合能(ZnO :60meV)非常大,因此,可期待將其用作的發(fā)光器件材料。氧化鋅(ZnO)晶體具有四種晶體結(jié)構(gòu),閃鋅礦結(jié)構(gòu)(與金剛石類似,可看成氧原子FCC排列,4個鋅原子占據(jù)金剛石中晶胞內(nèi)四個碳原子的位置);NaC結(jié)構(gòu);CsCl結(jié)構(gòu)(氧原子簡單立方排列,鋅原子占據(jù)體心位置);纖鋅礦結(jié)構(gòu)(六方結(jié)構(gòu),氧原子層和鋅原子層呈六方緊密排列)。


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