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離子束刻蝕的入射角
在離子束刻蝕過(guò)程中,選擇合適的入射角可以提高刻蝕效率,這只是一個(gè)方面。另一個(gè)方面是靠合適的入射角度控制刻蝕圖形的輪廓。下圖給出了不同角度的刻蝕結(jié)果。
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離子束刻蝕速率
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刻蝕速率是指單位時(shí)間內(nèi)離子從材料表面刻蝕去除的材料厚度,單位通常為A/minnm/min.刻蝕速率與諸多因素有關(guān),包括離子能量、束流密度、離子入射方向、材料溫度及成分、氣體與材料化學(xué)反應(yīng)狀態(tài)及速率、刻蝕生成物、物理與化學(xué)功能強(qiáng)度配比、材料種類、電子中和程度等。


離子束刻蝕常見(jiàn)的效應(yīng)
刻蝕的理想結(jié)果是將掩模(mask)的圖形準(zhǔn)確地轉(zhuǎn)移到基片_上,尺寸沒(méi)有變化。由于物理濺射的存在,掩模本身的不陡直和濺射產(chǎn)額隨離子束入射角變化等原因,產(chǎn)生了刻面( Faceting)、槽底開(kāi)溝(Trenching or Ditching) 和再沉積等現(xiàn)象,這些效應(yīng)的存在降低了圖形轉(zhuǎn)移精度。
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