熱沉鎢銅(圖)-銅鉬銅密度-銅鉬銅

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銅鉬銅復合材料具有良好的導電導熱性及綜合力學性能等優(yōu)點，在高能電子器件、導罩等領域具有廣闊的應用前景。然而目前銅鉬銅復合材料中鉬主要以顆粒狀的形式存在，限制了鉬高強性能的發(fā)揮。本文采用造孔劑法結合液相熔滲的方法制備出三維連通網狀結構銅鉬銅復合材料(Mo/Cu IPCs)。

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銅鉬銅（CMC）封裝材料是一種三明治結構的平板復合材料，它采用純鉬做芯材，雙面再覆以純銅或者彌散強化銅。

這種材料的熱膨脹系數可調，熱導率高，耐高溫性能優(yōu)異。生產工藝一般采用軋制復合，銅鉬銅銅封裝材料，電鍍復合，爆l炸成形等方法加工制備的。主要用作熱沉、引線框和多層印刷電路板(PCB)的底膨脹與導熱通道。

銅材的著色工藝有些是在室溫下就可以進行，然而還有些需要對著色液的溫度進行嚴格控制，只有控制在適合的范圍內樣品才可得到理想的色澤效果。

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銅/鉬-銅/銅與銅/鉬/銅（CMC）相似，銅/鉬-銅/銅也是三明治結構，它是由兩個副層-銅（Cu）包裹一個核心層-鉬銅合金（MoCu），它在X區(qū)域與Y區(qū)域有不同的熱膨脹系數，相比鎢銅、鉬銅和銅/鉬/銅材料，銅鉬銅銅(Cu/MoCu/Cu) 導熱率更高，價格也相對有優(yōu)勢。 

銅鉬銅熱沉封裝微電子材料可以與如下材料形成良好的熱膨脹匹配:

(1) 陶瓷材料:　Al2O3(A-90、A-95、A-99) 、BeO(B-95、B-99) 、AlN等;

(2) 半導體材料: Si、GaAs、SiGe、SiC、InGaP、InGaAs、InAlGaAs、 AlGaInP、和AlGaAs等．

(3) 金屬材料:可伐合金(4J29) 、42合金等;