小型ALD設(shè)備定制加工

一、設(shè)備概述：
       PE-ALD等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)是專門為特殊應(yīng)用領(lǐng)域的科學(xué)研究與工業(yè)開發(fā)用戶而設(shè)計(jì)的單片沉積系統(tǒng)，系統(tǒng)電氣完全符合CE標(biāo)準(zhǔn)；該系統(tǒng)擴(kuò)展了普通原子層沉積系統(tǒng)對前驅(qū)體源的選擇范圍、提高薄膜沉積速率和降低沉積溫度，廣泛應(yīng)用于對溫度敏感材料和柔性襯底上薄膜的沉積。

二、產(chǎn)品優(yōu)勢：
      的軟件控制系統(tǒng)：系統(tǒng)集工藝配方、參數(shù)設(shè)置、權(quán)限設(shè)定、互鎖報(bào)警、狀態(tài)監(jiān)控等功能于一體.

三、技術(shù)指標(biāo)：
       基片尺寸 8英寸及以下
   基片加熱溫度 室溫～500℃，控制精度±0.1℃
   前驅(qū)體輸運(yùn)系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn)3路前驅(qū)體管路，可選配
   前驅(qū)體管路溫度 室溫～200℃，控制精度±0.1℃
   源瓶加熱溫度 室溫～200℃，控制精度±0.1℃
    ALD閥 Swagelok快速高溫ALD閥
    本底真空 ＜5*10-5Torr，進(jìn)口防腐泵
    載氣系統(tǒng) N2或者Ar
    生長模式 高速沉積模式和停留生長模式
    等離子體源 300W 感應(yīng)耦合遠(yuǎn)程等離子體
    等離子體放電氣源 標(biāo)準(zhǔn)3路，可選配
    控制系統(tǒng) PLC+觸摸屏或者顯示器
    電源 50-60Hz, 220V/20A交流電源
    沉積非均勻性 非均勻性＜±1%
    設(shè)備尺寸 1000mm x 750mm x 1600mm

四、可沉積薄膜種類：
       單 質(zhì)：Co, Cu, Ta, Ti, W, Ge, Pt, Ru, Ni, Fe…
   氮化物：TiN, SiN, AlN, TaN, ZrN, HfN, WN …
   氧化物：TiO2, HfO2, SiO2, ZnO, ZrO2, Al2O3, La2O3, SnO2…
   其它化合物：GaAs, AlP, InP, GaP, InAs, LfxOy, SrTiO3,SrTaO6…

五、ALD應(yīng)用實(shí)例：
       高K柵氧化層，存儲容性電介質(zhì)，銅互連中高深寬比擴(kuò)散阻擋層，OLED無鈍化層，MEMS的高均勻鍍膜，納米多孔結(jié)構(gòu)鍍膜，特種光纖摻雜，太陽能電池，平板顯示器，光學(xué)薄膜，其它各類特殊結(jié)構(gòu)納米薄膜