維意真空PECVD等離子增強化學(xué)氣相沉積鍍膜設(shè)備支持定制

一、PECVD原理：

  化學(xué)氣象沉積（chemical vapor deition,簡稱CVD）是在一定的溫度條件下，混合氣體之間與基材表面相互作用，并且進(jìn)一步在基材表面形成金屬膜或者化合物薄膜，使材料表面改性，以達(dá)到耐磨，、抗腐蝕性等性能，在電子，光學(xué)，摩擦力學(xué)，機械應(yīng)用方面有很多應(yīng)用。

 等離子化學(xué)氣象沉積（plasma enhanced chemical vapor deition,簡稱PECVD）也叫做等離子體輔助化學(xué)氣象沉積（簡稱PACVD）則是依靠等離子體中得電子的動能去氣象得化學(xué)反應(yīng)，由于等離子體是離子、電子、中性原子和分子的集合體，因此大量的能量存在于等離子的內(nèi)能之中。PECVD是冷等離子體，是通過低壓氣體放電而形成的，一般是在幾帕到幾百帕的低氣壓下，通過射頻、中頻等放電所產(chǎn)生。

二、PECVD的特點：

   與常規(guī)的熱CVD比較，PECVD具有更多的優(yōu)點

     1、沉積溫度低：熱CVD的溫度一般高于600度，其應(yīng)用范圍非常有限，大部分只能用于實驗功能，PECVD的沉積溫度可以降到200度以內(nèi)，這是由于其內(nèi)能，也就是電子所具備的高能量所提供的。此優(yōu)點決定了其可以廣泛的應(yīng)用于各種金屬、半導(dǎo)體、電子等領(lǐng)域。

     2、沉積速率及均勻性得到提高：PECVD在輝光放電中所用的壓力比較低，反應(yīng)物中分子、原子等離子粒團與電子之間的碰撞、散射、電離等作用增強，膜層厚度的均勻性得到改善，減少，組織致密，內(nèi)應(yīng)力少，不易產(chǎn)生微裂紋。

     3、可以獲得性能獨特的膜層：PECVD的輝光放電處于非平衡狀態(tài)，及能量耗散狀態(tài)，其沉積產(chǎn)物呈多樣性，可以獲得熱分解所不能得到的物質(zhì)，最典型的，熱分解甲烷得到石墨薄膜，PECVD則可以得到金剛石薄膜。

 三、公司設(shè)備特點

1、設(shè)備整體尺寸：2000mm*18000mm*1600mm（寬*深*高）

2、真空室尺寸：直徑700、900、1100mm

3、平行板電極尺寸：直徑600、800、1000mm

4、電極冷卻及調(diào)節(jié)：水冷，可調(diào)節(jié)

5、真空系統(tǒng)：粗抽泵+分子泵機組

6、極限真空度：1*10-6mabr。

7、濺射電源：AE 射頻直流電源3KW-5KW-10KW

8、工藝匹配：全自動匹配

9、氣體控制：MKS 質(zhì)量流量控制器 4路

10、真空檢測：MKS 薄膜壓力規(guī)

11、加熱系統(tǒng)：石英管加熱或熱電阻加熱 5KW-8KW-12KW

12、控制方式：全自動控制系統(tǒng)

四、PECVD設(shè)備的應(yīng)用

1、沉積DLC膜層：用與機械、電子、醫(yī)療等領(lǐng)域

2、沉積氮化硅：半導(dǎo)體行業(yè)、微電子行業(yè)

3、沉積TIN膜層：以及TIC等硬質(zhì)膜層，比離子鍍更光亮，更美觀

4、納米炭管：CNTs是PECVD技術(shù)的一個新的應(yīng)用

5、太陽能薄膜電池：非晶硅太陽能電池的制備