維意真空 W-GTZ4高真空高低溫探針臺晶圓芯片測試支持定制

高低溫真空探針臺可以很好的滿足極低溫測試和高溫?zé)o氧化測設(shè)：

*** 極低溫測試:

    因為晶圓在低溫大氣環(huán)境測試時，空氣中的水汽會凝結(jié)在晶圓上，會導(dǎo)致漏電過大或者探針無法接觸電極而使測試失敗。要想避免這些就需要把真空腔內(nèi)的水汽在測試前用泵抽走，并且保持整個測試過程泵的運轉(zhuǎn)。

*** 高溫?zé)o氧化測試：

當(dāng)晶圓加熱至300℃,400℃甚至更高溫度時，氧化現(xiàn)象會越來越明顯，并且溫度越高氧化越嚴重。過度氧化會導(dǎo)致晶圓電性誤差，物理和機械形變。避免這些需要把真空腔內(nèi)的氧氣在測試前用泵抽走，并且保持整個測試過程泵的運轉(zhuǎn)。

特點：     

 1、晶圓測試過程中溫度在低溫和高溫中變換，因為熱脹冷縮現(xiàn)象，定位好的探針與器件電

極間會有相對位移，這時需要針座的重新定位，高低溫真空探針臺針座位于腔體外部，

便于操作重新調(diào)整探針位置。我們也可以選擇使用操作桿控制的自動化針座來調(diào)整探針

的位置。針座行程 X-Y-Z ：25.4mm(1 inch)*25.4mm(1 inch)*25.4mm(1 inch)，精度

10 micron（有效行程和精度可選）；

2、工作臺溫度范圍：-150℃——400℃，顯示精度0.1℃，控溫精度2℃，工作臺溫度均勻

   性5℃,常溫到-150℃冷卻時間:1小時40分鐘，常溫到400℃加熱時間：40分鐘；

3、真空腔體極限真空到6.67*10-1Pa（配置機械泵）；

4、可以選擇射頻配件做67 GHz的射頻測試；

5、選配：顯微鏡、防震桌、方形工作臺、分子泵組、射頻部件等。