維意真空W-ALD2等離子增強PE-ALD原子層沉積鍍膜設(shè)備

一、設(shè)備概述：

PE-ALD等離子體增強原子層沉積系統(tǒng)是專門為特殊應(yīng)用領(lǐng)域的科學(xué)研究與工業(yè)開發(fā)用戶而設(shè)計的單片沉積系統(tǒng)，系統(tǒng)電氣完全符合CE標準；該系統(tǒng)擴展了普通原子層沉積系統(tǒng)對前驅(qū)體源的選擇范圍、提高薄膜沉積速率和降低沉積溫度，廣泛應(yīng)用于對溫度敏感材料和柔性襯底上薄膜的沉積。

此系統(tǒng)包含用于原子層沉積的3路前驅(qū)體源、4通道質(zhì)量流量計控制系統(tǒng)、各部件加熱器系統(tǒng)、精密控溫樣品臺系統(tǒng)等。該管式爐系統(tǒng)為熱壁反應(yīng)室工藝，它的主要優(yōu)勢是在反應(yīng)室側(cè)壁上所淀積的也都是的ALD薄膜，熱壁反應(yīng)室設(shè)備往往能阻止薄膜的早期剝離，由于從加熱的側(cè)壁脫附的反應(yīng)源流量較高，從而加速了對反應(yīng)空間的清潔。

此套設(shè)備可作為單獨的CVD、PECVD、ALD、PEALD使用。搭建等離子增強原子層沉+化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PE-ALD-CVD），用于生長各類材料。

二、技術(shù)指標：

1. 控制閥門動作等整套系統(tǒng)采用PLC觸摸屏控制；

2. 基片加熱溫度：室溫～1000℃，升溫速率10℃/min，控制精度±1℃，可自動左右移動實現(xiàn)快速升降溫，移動速度可調(diào)實現(xiàn)階梯鍍膜。

3. 前驅(qū)體輸運系統(tǒng)：標準3路前驅(qū)體管路，可選配；

4. 前驅(qū)體預(yù)熱溫度：室溫～1000℃，控制精度±1℃；

5. 源瓶/氣體管道加熱溫度：室溫～200℃，控制精度±1℃；

6. ALD閥Swagelok快速高溫ALD閥（最小可在10ms完成閥門的開啟或關(guān)閉）；

7. 管內(nèi)真空＜10Pa，可自動平衡管內(nèi)真空度；

8. 載氣系統(tǒng)N2或者Ar；

9. 生長模式：高速沉積模式和停留生長模式；

10. 等離子體源：300W；

11. 可選購氣液混合裝置，用于CVD系統(tǒng)，可選購恒溫控制模塊；

12. 電源 50-60Hz, 220V/5Kw交流電源

三、可沉積薄膜種類舉例：

四、ALD的應(yīng)用：

高K柵氧化層，存儲容性電介質(zhì)，銅互連中高深寬比擴散阻擋層，OLED鈍化層，MEMS的高均勻鍍膜，納米多孔結(jié)構(gòu)鍍膜，特種光纖摻雜，太陽能電池，平板顯示器，光學(xué)薄膜，其它各類特殊結(jié)構(gòu)納米薄膜。

操作模式又分為連續(xù)流運行模式，即載氣、前體源脈沖、真空泵不斷，實現(xiàn)連續(xù)周期式鍍膜和前體源脈沖、截止閥、真空泵關(guān)閉經(jīng)過特定時間確保前體源可以通過樣品擴散在開啟實現(xiàn)周期式鍍膜兩種模式。

通常只有當高寬比用于幾何圖形> 1:10,(孔直徑100納米和1000納米深度)才會采用后一種模式。作為一個建議，1:30縱橫比可以用5秒擴散時間，而氣凝膠或其他高表面積、高縱橫比的樣品需要更長的時間，甚至到60秒或是更長時間。