定制多功能PE-CVD鍍膜設(shè)備

多功能PE-CVD鍍膜設(shè)備

1、整體設(shè)備采用聚簇式結(jié)構(gòu)：

   a.樣品室作為轉(zhuǎn)換室，可實現(xiàn)3*5片樣品的自動傳遞與收納；

   b.3個反應(yīng)室合理分布在樣品室周邊，真空密封連接；

   c.反應(yīng)室加熱溫度分別是1200℃、1400℃、1700℃，顯示精度

0.1℃，控制精度±0.5℃，30段程序控溫，超溫、斷偶報警

功能；

   d.反應(yīng)室具備樣品淬火冷阱，便于實現(xiàn)設(shè)計工藝要求；

   e.其中之一反應(yīng)室為石英腔室，可方便觀察內(nèi)部樣品沉積狀況，

其他兩個反應(yīng)室應(yīng)設(shè)置石英觀察窗口，便于觀察及測量；

   f.中控區(qū)域置于合理操作區(qū)域，并盡量與整體設(shè)備合理布局，減

少占地面積；

   g.中控機構(gòu)控制部分采用工業(yè)PLC控制，人機界面采用嵌入式觸

摸屏；

   h.整體設(shè)備做到去儀表化，減少儀表的使用，要求工控集成度高；

   i.控制部分可實現(xiàn)自動化與手動化操作的兼容性和可切換性；

   j.人機界面具備不同實驗組數(shù)據(jù)區(qū)別存儲化、數(shù)據(jù)U盤庫導(dǎo)入/

出功能、界面曲線表格化。

2、樣品直徑尺寸2英寸，厚度1mm，樣品根據(jù)實驗功能化，需要對設(shè)備提出如下要求：

   a.樣品在高溫狀態(tài)反應(yīng)結(jié)束后，需迅速進入急冷狀態(tài)，實現(xiàn)淬火；

   b.樣品在反應(yīng)室坩堝升溫至所需反應(yīng)溫度過程中不可與反應(yīng)物接

觸，減少在升溫過程的沉積幾率，提高實驗數(shù)據(jù)的精準(zhǔn)性；

   c.樣品在反應(yīng)室內(nèi)不得出現(xiàn)側(cè)翻、放置不平等影響鍍膜的狀況出

現(xiàn)。

3、設(shè)備工作真空度要求：

   a.整體設(shè)備真空度≤5Pa，漏率≤10^-7Pa L/s；

   b.設(shè)備可實現(xiàn)自動、手動穩(wěn)壓、恒壓的功能。

4、設(shè)備充氣要求：

a.  設(shè)備充氣系統(tǒng)分為4路質(zhì)量流量計控制流速，氣體流量范圍為

0-200sccm，誤差為±1.5%；

b.  設(shè)備充氣系統(tǒng)可實現(xiàn)自動、手動穩(wěn)壓、恒壓的功能。

5、3個反應(yīng)室等離子體輝光放電采用射頻電源：

   a.射頻頻率：13.56MHz；    

   b.射頻功率輸出范圍：5~500W。

6、設(shè)備基本參數(shù)：

   a.額定總功率20KW；

   b.380V,三相四線制；

   c.占地面積4m*4m；