Panasonic Plasma Dicing *等離子切割設(shè)備
[Panasonic
等離子
切割
等離子切割
設(shè)備]
北京市等離子切割設(shè)備廠家
價(jià)格： 電議
物流： 北京市 朝陽區(qū)| 賣家支付運(yùn)費(fèi)
可銷售總量： 21件
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[Panasonic 等離子 切割 等離子切割 設(shè)備]
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- 品牌： PANASONIC/松下
- 型號： Plasma Dicer APX300
- 加工定制： 是
- 用途： 等離子切割
- 別名： 等離子切割機(jī)
應(yīng)用領(lǐng)域：高性能傳感器/儲存器、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域具有微小、輕薄、易碎、需要清潔等特點(diǎn)的wafer切割，例如：low-k wafer（易碎）、3D/TSV芯片（輕?。?、圖像傳感器（清潔度要求高）、MEMS（易碎）、RFID芯片（微?。?。
等離子切割設(shè)備的應(yīng)用領(lǐng)域
產(chǎn)品優(yōu)勢：
1.無損傷，切口整齊平整，無雜質(zhì)碎屑，在電鏡下觀測形貌無損傷。
等離子切割與傳統(tǒng)機(jī)械切割在硅片斷裂形式上的不同
等離子切割與傳統(tǒng)機(jī)械切割在切面形貌上更平整，且結(jié)構(gòu)上無應(yīng)力損傷
等離子切割后，芯片的抗彎強(qiáng)度提高并且數(shù)據(jù)分布更窄
2.wafer利用率高、在小芯片切割上具有成本優(yōu)勢
切割道最小可達(dá)20μm，最多可提高30%的wafer利用率
整片一次性切割，芯片尺寸越小，單片效率越高
3.采用無水工藝、可切割異形芯片
工藝介紹：
工藝一：光刻+等離子切割（多用于＜3mm晶片切割）
在表面涂覆光刻膠后進(jìn)行曝光顯影，形成分割好的mask層，然后進(jìn)行等離子切割切斷Si層。
工藝二：激光+等離子切割（多用于＞3mm晶片切割）
先在表面貼一層雙層mask膠帶（上層為保護(hù)層、下層為mask層），之后翻面進(jìn)行背面減薄，翻面并揭掉上面保護(hù)層，然后用激光切割mask層和金屬層/低介電層，之后再進(jìn)行等離子切割切斷Si層。
整個(gè)工藝配套：膠帶、背減薄設(shè)備、光刻系統(tǒng)、激光器、層壓、等離子切割、測試設(shè)備
設(shè)備基本參數(shù)：
標(biāo)簽： 松下Pa... 松下 等離子 切割 松下等離... 松下Panasonic 松下 等離子 切割 松下等離子切割 設(shè)備 北京市等離子切割設(shè)備 北京市等離子切割設(shè)備廠家
北京亞科晨旭科技有限公司
注冊資金：尚未完善
聯(lián)系人：紹兵
固話：
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