Hakuto全自動離子刻蝕機ME

某薄膜磁盤制造采用Hakuto 全自動離子刻蝕機 MEL3100 用于刻蝕薄膜磁盤, 去除濺射鍍制磁盤薄膜的污染物和提高薄膜的均勻性. ? Hakuto 全自動離子刻蝕機 MEL 3100 技術(shù)參數(shù): portant;"> Model portant;"> MEL3100 portant;"> portant;"> Main body portant;"> Wafer size portant;"> 3"～6" portant;"> portant;"> Power Supply portant;"> AC200V 3ph 40A portant;"> Wafer per batch portant;"> 1 wafer portant;"> portant;"> *two lines portant;"> sette portant;"> No. portant;"> 25 wafers portant;"> portant;"> Cooling Water portant;"> 15 (l/min) portant;"> Q'ty portant;"> 1pc. portant;"> portant;"> <20℃ portant;"> Throughput portant;"> 10 (wafer/hr) *1 portant;"> portant;"> CDA portant;"> 0.5 (MPa) portant;"> Pressure portant;"> Ultimate portant;"> 8×10-5 (Pa) *2 portant;"> portant;"> >10 (l/min) portant;"> Process portant;"> 2×10-2 (Pa) *2 portant;"> portant;"> N2 portant;"> 0.2 (MPa) portant;"> Etching portant;"> Rate portant;"> >10 (nm/min)@SiO2 *3 portant;"> portant;"> >40 (l/min) portant;"> Uniformity portant;"> ±5%@132mm (6") *3 portant;"> portant;"> Ar portant;"> 0.2 (MPa) portant;"> Wafer surface temp. portant;"> <100℃ *3 portant;"> portant;"> 20 (sccm) portant;"> Stage rotating portant;"> 1～20 (rpm) ±5% portant;"> portant;"> He portant;"> 0.2 (MPa) portant;"> Stage tilting portant;"> ±90°±0.5° portant;"> portant;"> 20 (sccm) portant;"> Dimension W×D×H (mm) portant;"> Main body portant;"> 1,600×2,175×1,900 portant;"> portant;"> *need additional utilities for Dry pump portant;"> Co***oller portant;"> 640×610×1,900 portant;"> portant;"> Chiller portant;"> 555×515×1,025 portant;"> portant;"> portant;"> portant;"> Weight (kg) portant;"> Main body portant;"> 1,700 portant;"> portant;"> portant;"> portant;"> Co***oller portant;"> 200 portant;"> portant;"> portant;"> portant;"> Chiller portant;"> 100 portant;"> portant;"> portant;"> portant;"> *1: Estimated process time 5min portant;"> portant;"> portant;"> portant;"> *2: No wafer on stege / process chamber portant;"> portant;"> portant;"> portant;"> *3: Depending on process portant;"> portant;"> portant;"> Hakuto 全自動離子刻蝕機 MEL 3100 產(chǎn)品優(yōu)勢： 1. 所有流程全自動減少人工操作, 從而保證了產(chǎn)品的無差錯、高穩(wěn)定性和高質(zhì)量 2. 盒式房間采用微粒過濾器 3. 采用高質(zhì)量的蝕刻考夫曼離子源, 保證良好的均勻性和高蝕刻率 4. 占用空間小 5. 傳輸系統(tǒng)采用了 SCARA 型機器人 6. 控制單元系統(tǒng)提供操作通過觸摸屏/ 10.4英寸, 數(shù)據(jù)記錄可以顯示在屏幕上 7. 高冷卻效果 8. 良好的重復(fù)性和再現(xiàn)性的旋轉(zhuǎn)和傾斜階段具有良好的可重復(fù)性利用脈沖電動機 9. 容易維護這個系統(tǒng)設(shè)計重點是容易維護和用戶友好 10. 關(guān)鍵部件服務(wù)伯東的經(jīng)銷商是系統(tǒng)中的關(guān)鍵部件渦輪泵系統(tǒng)、離子源提供客戶快速響應(yīng)時間和本地服務(wù)能力,減少停機時間的工具 該 Hakuto 全自動離子刻蝕機 MEL3100的核心構(gòu)件離子源是配伯東公司代理美國考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP 380 伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 380 技術(shù)參數(shù)： portant;"> 射頻離子源型號 portant;"> RFICP 380 portant;"> Discharge 陽極 portant;"> 射頻 RFICP portant;"> 離子束流 portant;"> >1500 mA portant;"> 離子動能 portant;"> 100-1200 V portant;"> 柵極直徑 portant;"> 30 cm Φ portant;"> 離子束 portant;"> 聚焦, 平行, 散射 portant;"> 流量 portant;"> 15-50 sccm portant;"> 通氣 portant;"> Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 portant;"> 典型壓力 portant;"> < 0.5m Torr portant;"> 長度 portant;"> 39 cm portant;"> 直徑 portant;"> 59 cm portant;"> 中和器 portant;"> LFN 2000 運行結(jié)果: 1. 有效去除濺射沉積時帶來的污染物 2. 提高了薄膜磁盤的均勻度 3. 獲得具有高矯頑力、高剩磁、高穩(wěn)定性的連續(xù)薄膜型的記錄介質(zhì) 若您需要進一步的了解詳細產(chǎn)品信息或討論 , 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式 : 上海伯東 : 羅先生 臺灣伯東 : 王小姐 T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161 F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049 M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958 ec@hakuto-vacuum.cn ec@hakuto.com.tw www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw 伯東版權(quán)所有, 翻拷必究！