1000°真空熱臺(tái)

1000°真空熱臺(tái)主要應(yīng)用于半導(dǎo)體、材料科學(xué)、納米技術(shù)、光電子、薄膜技術(shù)等領(lǐng)域，具有以下用途： 1. 半導(dǎo)體器件測(cè)試與表征：用于不同溫度下的半導(dǎo)體料件、電子器件和光電子器件的性能測(cè)試和分析。 2. 材料性能表征：研究和測(cè)試材料在不同溫度下的電學(xué)、磁學(xué)、光學(xué)等性能，以及材料的穩(wěn)定性和可靠性。 3. 納米結(jié)構(gòu)與納米器件研究：在納米尺度上測(cè)量納米結(jié)構(gòu)與納米器件的電學(xué)性能，及其在高溫真空環(huán)境中的穩(wěn)定性和可靠性。 4. 薄膜與界面性能研究：在真空環(huán)境中測(cè)試薄膜、多層膜和薄膜器件等的電學(xué)、光學(xué)性能，以及薄膜與界面狀態(tài)的評(píng)價(jià)。 5. 表面處理與效應(yīng)研究：對(duì)材料表面進(jìn)行表征，并在高溫真空條件下研究表面處理方法，如氧化、氮化、硅化等的效應(yīng)。 6. 功能材料及元器件的研發(fā)：開展各種功能材料及元器件的研究與開發(fā)工作，提高材料的性能水平，為電子、光電子、訊通等新技術(shù)的應(yīng)用提供支持。 7. 微電子技術(shù)與工藝研究：探索制備新型而的微電子器件，開發(fā)具有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的微電子器件和工藝。 8. 熱學(xué)性能測(cè)試與研究：測(cè)量和研究新材料、新器件以及其它元器件在不同溫度下的熱學(xué)性能，如熱導(dǎo)率、熱膨脹系數(shù)等。 總之，1000度高溫真空熱臺(tái)用于研究多種材料和器件在不同溫度和真空環(huán)境下的性能、可靠性和穩(wěn)定性，為新材料、新器件和新技術(shù)的開發(fā)與應(yīng)用提供強(qiáng)有力的科學(xué)依據(jù)。 1000°真空熱臺(tái)技術(shù)參數(shù)； 真空腔體 類型 高溫加熱型 1000℃（高于 600℃需真空環(huán)境） 腔體材質(zhì) 6061 鋁合金 腔體重量 約1.5KG 腔體內(nèi)尺寸 147mmX72mmX22mm 腔體外尺寸 170mmX95mmX37mm 腔體上視窗尺寸 Φ42mm（可選配凹視窗用于減少窗口和樣品之間距離） 腔體抽氣口 KF16法蘭（其余接口規(guī)格可轉(zhuǎn)接） 腔體真空測(cè)量口 KF16 法蘭（其余接口規(guī)格可轉(zhuǎn)接） 腔體進(jìn)氣口 公制3mm 6mm氣管接頭 英制1/8mm 1/4mm 氣管接頭可選 腔體冷卻方式 腔體水冷+上蓋氣冷 腔體水冷接口 6mm快擰 或 6mm快插 腔體正壓 ≤0.05MPa 腔體真空度 機(jī)械泵≤5Pa （5分鐘） 分子泵≤5E-3Pa（30分鐘） 樣品臺(tái) 樣品臺(tái)材質(zhì) 高溫絕緣陶瓷 樣品臺(tái)尺寸 26x26mm 樣品臺(tái)加熱方式 電阻加熱 樣品臺(tái)-視窗 距離 13mm（可選配凹視窗用于減少窗口和樣品之間距離） 樣品臺(tái)測(cè)溫傳感器 S 型熱電偶 樣品臺(tái)溫度 室溫到1000℃ 樣品臺(tái)測(cè)溫誤差 ±0.1℃ 樣品臺(tái)升溫速率 高溫 100℃/min 值 溫控儀 溫度顯示 7寸人機(jī)界面 溫控類型 標(biāo)準(zhǔn) PID 溫控 +自整定 30 段編程控溫 溫度分辨率 1℃ 溫控精度 ±1℃ 溫度信號(hào)輸入類型 S （可選 PT100 熱電阻 K B 型熱電偶） 溫控輸出 直流線性電源加熱 輔助功能 溫度數(shù)據(jù)采集并導(dǎo)出 實(shí)時(shí)溫度曲線+歷史溫度曲線 可擴(kuò)展真空讀數(shù)接口 溫控器尺寸 32cmX170cmX380cm 溫控器重量 約5.6KG 水冷機(jī) 冷卻方式 壓縮制冷 冷卻溫度 室溫到 5℃ 冷卻水流量 10L/min 冷卻介質(zhì) 純水 冷卻水管接口 6mm 快插 循環(huán)水箱容量 6L 水冷機(jī)尺寸 56cmX28cmX45cm 水冷機(jī)重量 約 26KG 整機(jī)功率 600W