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[高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備 矩形靶磁控濺射鍍膜設(shè)備 高真空鍍膜設(shè)備 鍍膜機(jī) PVD設(shè)備 PVD鍍膜設(shè)備]
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高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備主要是用矩形磁控濺射靶進(jìn)行濺射的方法,制備金屬、合金、化合物、半導(dǎo)體、陶瓷、介質(zhì)復(fù)合膜及其它化學(xué)反應(yīng)膜等;適用于鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜及合金膜;可鍍制磁性材料和非磁性材料。
也可用于TGV/TSV/TMV 封裝的研發(fā),高深徑比(≥10:1)的深孔金屬種子層鍍膜。

主要特點(diǎn)
一機(jī)多用,支持平面、圓柱體、碗狀/整流罩等多種形狀基片鍍膜。
基片和靶材之間的距離可調(diào)整,以適應(yīng)不同靶材的成膜工藝的距離要求。
工藝氣體采用勻氣技術(shù),氣場(chǎng)更均勻,鍍膜更均勻。
樣品臺(tái)可增加偏壓裝置,可用于深孔鍍膜;可調(diào)控鍍膜質(zhì)量。
技術(shù)參數(shù)
| 產(chǎn)品型號(hào) | HITSemi-PVD-650SR |
| 基片尺寸 | 平面矩形基片:≤350mm×120mm;單次裝載量:4片 運(yùn)動(dòng)方式:公轉(zhuǎn),或單一定位 圓柱體工件:≤φ150×350mm;單次裝載量:4片 運(yùn)動(dòng)方式:公轉(zhuǎn)+自轉(zhuǎn),或單一定位自轉(zhuǎn) 圓形基片:≤φ100mm;單次裝載量:1片 運(yùn)動(dòng)方式:僅自轉(zhuǎn) |
| 靶材尺寸 | 矩形磁控靶:400mm x100mm 圓形磁控靶:φ3英寸 |
| 磁控濺射靶數(shù)量 | 2支~4支(可選配) |
| 適用材料 | 金屬、絕緣材料、鐵磁材料均可 |
| 腔體材質(zhì) | 304/316(選配)不銹鋼,電解拋光 |
| 真空系統(tǒng) | 分子泵+干泵機(jī)組 |
| 極限真空 | 8.0X10-5Pa |
| 恢復(fù)工作背景真空 | 大氣至8.0×10-4Pa,30分鐘左右(新設(shè)備充干燥氮?dú)猓?/span> |
| 設(shè)備總體漏放率 | 關(guān)機(jī)12小時(shí)真空度≤8Pa |
| 濺射方式 | 單獨(dú)濺射 |
| 工藝電源 | 射頻電源、中頻電源、HIPIMS高能脈沖電源、直流脈沖電源、直流濺射電源 |
| 基片臺(tái)加熱溫度 | φ100mm基片工件臺(tái),可加熱溫度約600℃ 其它工件臺(tái),可加熱溫度約300℃ |
| 多功能工件臺(tái) | 可旋轉(zhuǎn)、可加熱、可加偏壓 |
| 膜厚均勻性 | 平面基片優(yōu)于±3%,異形基片根據(jù)形狀待定 |
| 控制形式 | 半自動(dòng)/全自動(dòng) |
| 工藝氣體 | 3路(N2、Ar、O2) |
| 基片臺(tái)偏壓 | 可選配 |
| 等離子清洗源 | 可選配 |
| 膜厚監(jiān)控 | 可選配 |
| 恒溫制冷水箱 | 可選配 |
| 空氣壓縮機(jī) | 可選配 |
設(shè)備工作條件
| 供電 | 三相五線制,AC 380V,50Hz;接地電阻≤1Ω |
| 功率 | 根據(jù)設(shè)備規(guī)模配置,峰值功率(10KW~80KW) |
| 冷卻水 | ≤100L/min |
| 水壓 | 0.1Mpa~0.15MPa |
| 水溫 | 18℃~25℃ |
| 氣動(dòng)部件供氣壓力 | 0.5MPa~0.7MPa |
| 質(zhì)量流量控制器供氣壓力 | 0.05MPa~0.2MPa |
| 工作環(huán)境溫度 | 18℃~40℃ |
| 工作環(huán)境濕度 | ≤50% |
關(guān)于我們
鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司,由哈爾濱工業(yè)大學(xué)(深圳)與有多年實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的工程師團(tuán)隊(duì)共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于技術(shù)前沿、市場(chǎng)前沿和產(chǎn)業(yè)前沿的交叉點(diǎn),尋求創(chuàng)新yin*ling與可持續(xù)發(fā)展,解決產(chǎn)業(yè)的痛點(diǎn)和國產(chǎn)化難題,爭(zhēng)取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。
鵬城微納技術(shù)(沈陽)有限公司是鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司全資子公司,是半導(dǎo)體和泛半導(dǎo)體工藝和裝備的設(shè)計(jì)中心和生產(chǎn)制造基地。
公司核心業(yè)務(wù)是微納技術(shù)與gao*duan精密制造,具體應(yīng)用領(lǐng)域包括半導(dǎo)體和泛半導(dǎo)體材料、工藝、裝備的研發(fā)設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造、工藝技術(shù)服務(wù)及裝備的升級(jí)改造,可為用戶提供工藝研發(fā)和打樣,可為生產(chǎn)企業(yè)提供生產(chǎn)型設(shè)備,可為科學(xué)研究提供科研設(shè)備。
公司人才團(tuán)隊(duì)知識(shí)結(jié)構(gòu)完整,有工程師哈工大和博士,為核心的高水平材料研究和工藝研究團(tuán)隊(duì),還有來自工業(yè)界的gao*ji*裝備設(shè)計(jì)師團(tuán)隊(duì),他們具有30多年的半導(dǎo)體材料研究、外延技術(shù)研究和半導(dǎo)體薄膜制備成套裝備設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造的經(jīng)驗(yàn)。
公司依托于哈爾濱工業(yè)大學(xué)(深圳),具備xian*jin*的半導(dǎo)體研發(fā)設(shè)備平臺(tái)和檢測(cè)設(shè)備平臺(tái),可以在高起點(diǎn)開展科研工作。公司總部位于深圳市,具備半導(dǎo)體和泛半導(dǎo)體裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、調(diào)試以及器件的中試、生產(chǎn)、銷售的能力。
公司團(tuán)隊(duì)技術(shù)儲(chǔ)備及創(chuàng)新能力
1998~2002
-設(shè)計(jì)了中試型的全自動(dòng)化監(jiān)控的MOCVD,用于外延硅基GaN
-設(shè)計(jì)制造了聚氨酯薄膜的卷繞式鍍膜機(jī)
2005
-設(shè)計(jì)制造了中國di*yi臺(tái)完全自主的MBE(分子束外延設(shè)備),用于外延光電半導(dǎo)體材料
2007
-設(shè)計(jì)超高溫CVD 和MBE,用于4H晶型SiC外延生長(zhǎng)
-設(shè)計(jì)制造了光學(xué)級(jí)金剛石生長(zhǎng)設(shè)備(采用熱激發(fā)技術(shù)和CVD技術(shù))
2015
-設(shè)計(jì)制造了金剛石涂層制備設(shè)備,制備了金剛石電極、微米晶和納米晶金剛石薄膜、導(dǎo)電金剛石薄膜
2017
-優(yōu)化Rheed設(shè)計(jì),開始生產(chǎn)型MBE設(shè)計(jì)
-開始研發(fā)PSD方法外延GaN的工藝和裝備
2019
-設(shè)計(jì)制造了大型熱絲CVD金剛石薄膜的生產(chǎn)設(shè)備
2021
2022
-子公司鵬城微納成立;
-熱絲CVD設(shè)備、高真空磁控濺射儀、電子束蒸鍍機(jī)、分子束外延與磁控濺射聯(lián)用設(shè)備多套出貨
-獲得ISO9001質(zhì)量管理體系
2023
-PSD方法外延GaN裝備與工藝的技術(shù)攻關(guān);
-科技型中小企業(yè)-入庫編號(hào)202344030500018573;
-創(chuàng)新型中小企業(yè);
-獲50+項(xiàng)*;
-企業(yè)信用評(píng)價(jià)AAA級(jí)信用企業(yè);/ISO三體系認(rèn)證;
-子公司晶源半導(dǎo)體成立
2024~2026
-與jun*gong和shang*shi*tou*bu*qi*ye*客戶合作取得突破(X *guang*gan*shou板及光電器件的薄膜生長(zhǎng))
-鵬城微納技術(shù)(沈陽)有限公司子公司擴(kuò)產(chǎn)
-TGV/TSV/TMV
-wei*guang*tan*測(cè)、yi*liao*ying*xiang、fu*he*ying*zhi*tu*層
-gao*xin*ji*shu企業(yè)

one*three*sex*three*two*seven*five*0*0*one*seven
標(biāo)簽: 高真空磁... 矩形靶磁... 高真空鍍... 鍍膜機(jī) PVD設(shè)... 高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備 矩形靶磁控濺射鍍膜設(shè)備 高真空鍍膜設(shè)備 鍍膜機(jī) PVD設(shè)備 PVD鍍膜設(shè)備 深圳市磁控濺射鍍膜設(shè)備 深圳市磁控濺射鍍膜設(shè)備廠家注冊(cè)資金:1000萬-5000萬
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