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鵬城半導(dǎo)體 高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備(矩形靶)HITSemi-PVD-650SR

鵬城半導(dǎo)體 高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備(矩形靶)HITSemi-PVD-650SR

[高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備

矩形靶磁控濺射鍍膜設(shè)備

高真空鍍膜設(shè)備

鍍膜機(jī)

PVD設(shè)備

PVD鍍膜設(shè)備]

深圳市磁控濺射鍍膜設(shè)備廠家

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鵬城半導(dǎo)體 高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備(矩形靶)HITSemi-PVD-650SR
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詳細(xì)信息(鵬城半導(dǎo)體 高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備(矩形靶)HITSemi-PVD-650SR)
  • 加工定制:
  • 種類: 其他
  • 用途: 制備金屬、合金、化合物、半導(dǎo)體、陶瓷、介質(zhì)復(fù)合膜等
  • 型號(hào): HITSemi-PVD-650SR

高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備主要是用矩形磁控濺射靶進(jìn)行濺射的方法,制備金屬、合金、化合物、半導(dǎo)體、陶瓷、介質(zhì)復(fù)合膜及其它化學(xué)反應(yīng)膜等;適用于鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜及合金膜;可鍍制磁性材料和非磁性材料。
也可用于TGV/TSV/TMV 封裝的研發(fā),高深徑比(≥10:1)的深孔金屬種子層鍍膜。


主要特點(diǎn)
一機(jī)多用,支持平面、圓柱體、碗狀/整流罩等多種形狀基片鍍膜。
基片和靶材之間的距離可調(diào)整,以適應(yīng)不同靶材的成膜工藝的距離要求。
工藝氣體采用勻氣技術(shù),氣場(chǎng)更均勻,鍍膜更均勻。
樣品臺(tái)可增加偏壓裝置,可用于深孔鍍膜;可調(diào)控鍍膜質(zhì)量。

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào) HITSemi-PVD-650SR
基片尺寸 平面矩形基片:≤350mm×120mm;單次裝載量:4片
運(yùn)動(dòng)方式:公轉(zhuǎn),或單一定位
圓柱體工件:≤φ150×350mm;單次裝載量:4片
運(yùn)動(dòng)方式:公轉(zhuǎn)+自轉(zhuǎn),或單一定位自轉(zhuǎn)
圓形基片:≤φ100mm;單次裝載量:1片
運(yùn)動(dòng)方式:僅自轉(zhuǎn)
靶材尺寸 矩形磁控靶:400mm x100mm
圓形磁控靶:φ3英寸
磁控濺射靶數(shù)量 2支~4支(可選配)
適用材料 金屬、絕緣材料、鐵磁材料均可
腔體材質(zhì) 304/316(選配)不銹鋼,電解拋光
真空系統(tǒng) 分子泵+干泵機(jī)組
極限真空 8.0X10-5Pa
恢復(fù)工作背景真空 大氣至8.0×10-4Pa,30分鐘左右(新設(shè)備充干燥氮?dú)猓?/span>
設(shè)備總體漏放率 關(guān)機(jī)12小時(shí)真空度≤8Pa
濺射方式 單獨(dú)濺射
工藝電源 射頻電源、中頻電源、HIPIMS高能脈沖電源、直流脈沖電源、直流濺射電源
基片臺(tái)加熱溫度 φ100mm基片工件臺(tái),可加熱溫度約600℃
其它工件臺(tái),可加熱溫度約300℃
多功能工件臺(tái) 可旋轉(zhuǎn)、可加熱、可加偏壓
膜厚均勻性 平面基片優(yōu)于±3%,異形基片根據(jù)形狀待定
控制形式 半自動(dòng)/全自動(dòng)
工藝氣體 3路(N2、Ar、O2
基片臺(tái)偏壓 可選配
等離子清洗源 可選配
膜厚監(jiān)控 可選配
恒溫制冷水箱 可選配
空氣壓縮機(jī) 可選配

設(shè)備工作條件

供電 三相五線制,AC 380V,50Hz;接地電阻≤1Ω
功率 根據(jù)設(shè)備規(guī)模配置,峰值功率(10KW~80KW)
冷卻水 ≤100L/min
水壓 0.1Mpa~0.15MPa
水溫 18℃~25℃
氣動(dòng)部件供氣壓力 0.5MPa~0.7MPa
質(zhì)量流量控制器供氣壓力 0.05MPa~0.2MPa
工作環(huán)境溫度 18℃~40℃
工作環(huán)境濕度 ≤50%

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鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司,由哈爾濱工業(yè)大學(xué)(深圳)與有多年實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的工程師團(tuán)隊(duì)共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于技術(shù)前沿、市場(chǎng)前沿和產(chǎn)業(yè)前沿的交叉點(diǎn),尋求創(chuàng)新yin*ling與可持續(xù)發(fā)展,解決產(chǎn)業(yè)的痛點(diǎn)和國產(chǎn)化難題,爭(zhēng)取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。

鵬城微納技術(shù)(沈陽)有限公司是鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司全資子公司,是半導(dǎo)體和泛半導(dǎo)體工藝和裝備的設(shè)計(jì)中心和生產(chǎn)制造基地。

公司核心業(yè)務(wù)是微納技術(shù)與gao*duan精密制造,具體應(yīng)用領(lǐng)域包括半導(dǎo)體和泛半導(dǎo)體材料、工藝、裝備的研發(fā)設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造、工藝技術(shù)服務(wù)及裝備的升級(jí)改造,可為用戶提供工藝研發(fā)和打樣,可為生產(chǎn)企業(yè)提供生產(chǎn)型設(shè)備,可為科學(xué)研究提供科研設(shè)備。

公司人才團(tuán)隊(duì)知識(shí)結(jié)構(gòu)完整,有工程師哈工大和博士,為核心的高水平材料研究和工藝研究團(tuán)隊(duì),還有來自工業(yè)界的gao*ji*裝備設(shè)計(jì)師團(tuán)隊(duì),他們具有30多年的半導(dǎo)體材料研究、外延技術(shù)研究和半導(dǎo)體薄膜制備成套裝備設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造的經(jīng)驗(yàn)。

公司依托于哈爾濱工業(yè)大學(xué)(深圳),具備xian*jin*的半導(dǎo)體研發(fā)設(shè)備平臺(tái)和檢測(cè)設(shè)備平臺(tái),可以在高起點(diǎn)開展科研工作。公司總部位于深圳市,具備半導(dǎo)體和泛半導(dǎo)體裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、調(diào)試以及器件的中試、生產(chǎn)、銷售的能力。

公司團(tuán)隊(duì)技術(shù)儲(chǔ)備及創(chuàng)新能力

1998~2002

-設(shè)計(jì)了中試型的全自動(dòng)化監(jiān)控的MOCVD,用于外延硅基GaN

-設(shè)計(jì)制造了聚氨酯薄膜的卷繞式鍍膜機(jī)

2005

-設(shè)計(jì)制造了中國di*yi臺(tái)完全自主的MBE(分子束外延設(shè)備),用于外延光電半導(dǎo)體材料

2007

-設(shè)計(jì)超高溫CVD 和MBE,用于4H晶型SiC外延生長(zhǎng)

-設(shè)計(jì)制造了光學(xué)級(jí)金剛石生長(zhǎng)設(shè)備(采用熱激發(fā)技術(shù)和CVD技術(shù))

2015

-設(shè)計(jì)制造了金剛石涂層制備設(shè)備,制備了金剛石電極、微米晶和納米晶金剛石薄膜、導(dǎo)電金剛石薄膜

2017

-優(yōu)化Rheed設(shè)計(jì),開始生產(chǎn)型MBE設(shè)計(jì)

-開始研發(fā)PSD方法外延GaN的工藝和裝備

2019

-設(shè)計(jì)制造了大型熱絲CVD金剛石薄膜的生產(chǎn)設(shè)備

2021

-鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司成立

2022

-子公司鵬城微納成立;

-熱絲CVD設(shè)備、高真空磁控濺射儀、電子束蒸鍍機(jī)、分子束外延與磁控濺射聯(lián)用設(shè)備多套出貨

-獲得ISO9001質(zhì)量管理體系

2023

-PSD方法外延GaN裝備與工藝的技術(shù)攻關(guān);

-科技型中小企業(yè)-入庫編號(hào)202344030500018573;

-創(chuàng)新型中小企業(yè);

-獲50+項(xiàng)*;

-企業(yè)信用評(píng)價(jià)AAA級(jí)信用企業(yè);/ISO三體系認(rèn)證;

-子公司晶源半導(dǎo)體成立

2024~2026

-與jun*gong和shang*shi*tou*bu*qi*ye*客戶合作取得突破(X *guang*gan*shou板及光電器件的薄膜生長(zhǎng))

-鵬城微納技術(shù)(沈陽)有限公司子公司擴(kuò)產(chǎn)

-TGV/TSV/TMV

-wei*guang*tan*測(cè)、yi*liao*ying*xiang、fu*he*ying*zhi*tu*層

-gao*xin*ji*shu企業(yè)

one*three*sex*three*two*seven*five*0*0*one*seven

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