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鵬城半導(dǎo)體 高真空電子束蒸發(fā)鍍膜設(shè)備 HITSemi-PVD-600EB

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PVD設(shè)備產(chǎn)品

電子束蒸發(fā)鍍膜機]

深圳市電子束蒸發(fā)鍍膜廠家

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  • 加工定制:
  • 種類: 其他
  • 用途: 鍍制各種金屬、氧化物、導(dǎo)電薄膜、光學(xué)薄膜、半導(dǎo)體薄膜等
  • 型號: HITSemi-PVD-600EB

高真空電子束蒸發(fā)鍍膜設(shè)備是在高真空條件下,采用電子束轟擊材料加熱蒸發(fā)的方法,在襯底上鍍制各種金屬、氧化物、導(dǎo)電薄膜、光學(xué)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、鐵電薄膜、超硬膜等;可鍍制混合物單層膜、多層膜或摻雜膜;可鍍各種高熔點材料。


主要特點
真空度高、抽速快、基片裝卸方便。
配備 E 型電子束蒸發(fā)源和電阻蒸發(fā)源。
PID自動控溫,成膜均勻、放氣量小和溫度均勻。

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品型號 HITSemi-PVD-600EB
基片尺寸 4"~8"
電子束蒸發(fā)源 功率10KW, e型電子槍
坩堝數(shù)量 4穴/6穴(可選配)
電阻熱蒸發(fā)源組件 1個~2個(可選配)
鉭(鎢或鉬)金屬舟熱蒸發(fā)源組件
鎢極或鎢藍(lán)熱蒸發(fā)源組件
腔體材質(zhì) 304/316(選配)不銹鋼,電解拋光
真空系統(tǒng) 分子泵+機械泵
極限真空 5×10-5Pa
恢復(fù)工作背景真空 大氣至7×10-4Pa,30分鐘左右(新設(shè)備充干燥氮氣)
設(shè)備總體漏放率 關(guān)機12小時真空度≤8Pa
工藝電源 電子槍電源、直流蒸發(fā)電源
基片臺 基片臺可加熱600℃、可旋轉(zhuǎn)2~30轉(zhuǎn)/分鐘、可升降、可水冷(選配)
膜厚均勻性 優(yōu)于±5%
控制形式 半自動/全自動
工藝氣體 3路(N2、Ar、O2)(可選配)
等離子清洗源 可選配
膜厚監(jiān)控 可選配
恒溫制冷水箱 可選配
空氣壓縮機 可選配

設(shè)備工作條件

供電 三相五線制,AC 380V,50Hz;接地電阻≤1Ω
功率 根據(jù)設(shè)備規(guī)模配置,峰值功率(20KW~30KW)
冷卻水 ≤100L/min
水壓 0.1Mpa~0.15MPa
水溫 18℃~25℃
氣動部件供氣壓力 0.5MPa~0.7MPa
質(zhì)量流量控制器供氣壓力 0.05MPa~0.2MPa
工作環(huán)境溫度 10℃~40℃
工作環(huán)境濕度 ≤50%

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鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司,由哈爾濱工業(yè)大學(xué)(深圳)與有多年實踐經(jīng)驗的工程師團隊共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于技術(shù)前沿、市場前沿和產(chǎn)業(yè)前沿的交叉點,尋求創(chuàng)新yin*ling與可持續(xù)發(fā)展,解決產(chǎn)業(yè)的痛點和國產(chǎn)化難題,爭取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。

鵬城微納技術(shù)(沈陽)有限公司是鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司全資子公司,是半導(dǎo)體和泛半導(dǎo)體工藝和裝備的設(shè)計中心和生產(chǎn)制造基地。

公司核心業(yè)務(wù)是微納技術(shù)與gao*duan精密制造,具體應(yīng)用領(lǐng)域包括半導(dǎo)體和泛半導(dǎo)體材料、工藝、裝備的研發(fā)設(shè)計、生產(chǎn)制造、工藝技術(shù)服務(wù)及裝備的升級改造,可為用戶提供工藝研發(fā)和打樣,可為生產(chǎn)企業(yè)提供生產(chǎn)型設(shè)備,可為科學(xué)研究提供科研設(shè)備。

公司人才團隊知識結(jié)構(gòu)完整,有工程師哈工大和博士,為核心的高水平材料研究和工藝研究團隊,還有來自工業(yè)界的gao*ji*裝備設(shè)計師團隊,他們具有30多年的半導(dǎo)體材料研究、外延技術(shù)研究和半導(dǎo)體薄膜制備成套裝備設(shè)計、生產(chǎn)制造的經(jīng)驗。

公司依托于哈爾濱工業(yè)大學(xué)(深圳),具備xian*jin*的半導(dǎo)體研發(fā)設(shè)備平臺和檢測設(shè)備平臺,可以在高起點開展科研工作。公司總部位于深圳市,具備半導(dǎo)體和泛半導(dǎo)體裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、調(diào)試以及器件的中試、生產(chǎn)、銷售的能力。

公司團隊技術(shù)儲備及創(chuàng)新能力

1998~2002

-設(shè)計了中試型的全自動化監(jiān)控的MOCVD,用于外延硅基GaN

-設(shè)計制造了聚氨酯薄膜的卷繞式鍍膜機

2005

-設(shè)計制造了中國di*yi臺完全自主的MBE(分子束外延設(shè)備),用于外延光電半導(dǎo)體材料

2007

-設(shè)計超高溫CVD 和MBE,用于4H晶型SiC外延生長

-設(shè)計制造了光學(xué)級金剛石生長設(shè)備(采用熱激發(fā)技術(shù)和CVD技術(shù))

2015

-設(shè)計制造了金剛石涂層制備設(shè)備,制備了金剛石電極、微米晶和納米晶金剛石薄膜、導(dǎo)電金剛石薄膜

2017

-優(yōu)化Rheed設(shè)計,開始生產(chǎn)型MBE設(shè)計

-開始研發(fā)PSD方法外延GaN的工藝和裝備

2019

-設(shè)計制造了大型熱絲CVD金剛石薄膜的生產(chǎn)設(shè)備

2021

-鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司成立

2022

-子公司鵬城微納成立;

-熱絲CVD設(shè)備、高真空磁控濺射儀、電子束蒸鍍機、分子束外延與磁控濺射聯(lián)用設(shè)備多套出貨

-獲得ISO9001質(zhì)量管理體系

2023

-PSD方法外延GaN裝備與工藝的技術(shù)攻關(guān);

-科技型中小企業(yè)-入庫編號202344030500018573;

-創(chuàng)新型中小企業(yè);

-獲50+項*;

-企業(yè)信用評價AAA級信用企業(yè);/ISO三體系認(rèn)證;

-子公司晶源半導(dǎo)體成立

2024~2026

-與jun*gong和shang*shi*tou*bu*qi*ye*客戶合作取得突破(X *guang*gan*shou板及光電器件的薄膜生長)

-鵬城微納技術(shù)(沈陽)有限公司子公司擴產(chǎn)

-TGV/TSV/TMV

-wei*guang*tan*測、yi*liao*ying*xiang、fu*he*ying*zhi*tu*層

-gao*xin*ji*shu企業(yè)

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