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鵬城半導(dǎo)體超高真空高能脈沖磁控濺射鍍膜設(shè)備 HITSemi-UHV-HIPIMS

[超高真空技術(shù)

高能脈沖磁控濺射

PVD鍍膜設(shè)備

PSD鍍膜設(shè)備

薄膜沉積

UHV設(shè)備]

深圳市磁控濺射鍍膜設(shè)備廠家

價格： 電議

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[超高真空技術(shù) 高能脈沖磁控濺射 PVD鍍膜設(shè)備 PSD鍍膜設(shè)備薄膜沉積 UHV設(shè)備]

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加工定制： 是
種類： 其他
用途： 應(yīng)用場景之一：GaN單晶薄膜生長工藝
型號： HITSemi-UHV-HIPIMS

超高真空高能脈沖磁控濺射鍍膜設(shè)備，是在超潔凈環(huán)境下，采用納米及原子級制造技術(shù)，生長高純度高質(zhì)量薄膜。應(yīng)用場景之一：GaN單晶薄膜生長工藝、GaN基稀磁半導(dǎo)體分子結(jié)構(gòu)材料制備的工藝實現(xiàn)。

該設(shè)備由工藝室、預(yù)處理室、手套箱、傳送樣機構(gòu)、真空制備系統(tǒng)、電氣控制系統(tǒng)、Rheed等測量檢測系統(tǒng)組成?？稍跐崈舡h(huán)境下完成樣片的清洗、外延片及稀磁半導(dǎo)體膜層制備及膜層后期處理、防護包裝等流程。

主要特點
在超高真空和超潔凈環(huán)境下，實現(xiàn)等離子體濺射外延過程。
集成原子級別探測的電子束測試手段，實現(xiàn)超高真空PSD外延原子級別物理性能研究（包括原子級別缺陷形成規(guī)律、動力學(xué)規(guī)律等)。
從原子尺度控制第三代半導(dǎo)體（本項目以GaN薄膜做驗證）等離子體濺射外延生長過程。

預(yù)處理室
高真空本底，做為樣片表面等離子清洗、高溫除氣及鍍膜后樣片擴散、退火等應(yīng)用。該室開門與手套箱相連，利于進(jìn)樣兼預(yù)處理室的清潔；該室配有一套手動樣品傳送桿，用于樣品在預(yù)處理室與工藝室之間的傳遞。

預(yù)處理室技術(shù)參數(shù)

極限真空	2×10-5Pa
工作真空	5×10-4Pa
樣片直徑	Φ4英寸
樣品加熱溫度	室溫～600℃
溫控精度	±1℃
離子源口徑	Φ50mm
離子源與樣品平面的距離	200mm
離子能量	5eV~200Ev
送樣桿傳送距離	900mm
托叉升降距離	10 mm

工藝室
超高真空本底，為薄膜材料的生長提供理想的潔凈環(huán)境。
膜層制備采用自主設(shè)計的超高真空液態(tài)磁控濺射靶和超高真空固態(tài)磁控濺射靶（工作時真空腔體真空度在10-1Pa以下）（或束源爐），配以氣體離化源，通過源組合可完成（GaN, p/n）（AlN, p/n）（AlGaN）等膜層的制備。
工藝室配置有：
? φ4英寸高溫樣品臺一套；樣片可旋轉(zhuǎn)（2～20轉(zhuǎn)/分鐘，無級可調(diào)）、加熱溫度室溫～1200℃（溫控精度：±1℃）。
? 兩英寸液態(tài)磁控濺射靶一套，用于Ga靶材的濺射。
? 兩英寸超高真空磁控濺射靶三套（或束源爐），用于Al、C、Mg、Ge、Si的靶材濺射（或束源爐高溫制取各元素物質(zhì)）。
? 射頻離化源兩套，用于N源的離化。
? 原位測量系統(tǒng)Rheed一套。

工藝室技術(shù)參數(shù)

極限真空	2×10-7Pa
工作真空	5×10-6Pa
樣片直徑	Φ4英寸
樣品加熱溫度	室溫～1200℃
溫控精度	±1℃
樣品旋轉(zhuǎn)速度	0，2～20轉(zhuǎn)/分鐘（在線可調(diào)）
濺射靶濺射面與樣品平面的調(diào)整距離距離	液態(tài)源濺射靶：75mm～150mm（離線調(diào)整）
	主源濺射靶：75mm～150mm（離線調(diào)整）
	摻雜源靶：75mm～150mm（離線調(diào)整）
電源控制穩(wěn)定性	<1％
膜厚監(jiān)測精度	0.3?

設(shè)備工作條件

供電	三相五線制，AC 380V，50Hz；接地電阻≤1Ω
功率	根據(jù)具體工藝需求配置
冷卻水	≤100L/min
水壓	0.1MPa~0.15MPa
水溫	18℃～25℃
氣動部件供氣壓力	0.5MPa～0.7MPa
質(zhì)量流量控制器供氣壓力	0.05MPa～0.2MPa
工作環(huán)境溫度	10℃～40℃
工作環(huán)境濕度	≤50%

超高真空磁控濺射靶

超高磁控濺射靶濺射不同靶材輝光現(xiàn)象

工藝室樣品臺加熱1200℃

濺射過程

設(shè)備主視圖

設(shè)備后視圖

設(shè)備俯視圖

關(guān)于我們

鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司，由哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）與有多年實踐經(jīng)驗的工程師團隊共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于技術(shù)前沿、市場前沿和產(chǎn)業(yè)前沿的交叉點，尋求創(chuàng)新yin*ling與可持續(xù)發(fā)展，解決產(chǎn)業(yè)的痛點和國產(chǎn)化難題，爭取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。

鵬城微納技術(shù)（沈陽）有限公司是鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司全資子公司，是半導(dǎo)體和泛半導(dǎo)體工藝和裝備的設(shè)計中心和生產(chǎn)制造基地。

公司核心業(yè)務(wù)是微納技術(shù)與gao*duan精密制造，具體應(yīng)用領(lǐng)域包括半導(dǎo)體和泛半導(dǎo)體材料、工藝、裝備的研發(fā)設(shè)計、生產(chǎn)制造、工藝技術(shù)服務(wù)及裝備的升級改造，可為用戶提供工藝研發(fā)和打樣，可為生產(chǎn)企業(yè)提供生產(chǎn)型設(shè)備，可為科學(xué)研究提供科研設(shè)備。

公司人才團隊知識結(jié)構(gòu)完整，有工程師哈工大和博士，為核心的高水平材料研究和工藝研究團隊，還有來自工業(yè)界的gao*ji*裝備設(shè)計師團隊，他們具有30多年的半導(dǎo)體材料研究、外延技術(shù)研究和半導(dǎo)體薄膜制備成套裝備設(shè)計、生產(chǎn)制造的經(jīng)驗。

公司依托于哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳），具備xian*jin*的半導(dǎo)體研發(fā)設(shè)備平臺和檢測設(shè)備平臺，可以在高起點開展科研工作。公司總部位于深圳市，具備半導(dǎo)體和泛半導(dǎo)體裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、調(diào)試以及器件的中試、生產(chǎn)、銷售的能力。

公司團隊技術(shù)儲備及創(chuàng)新能力

1998~2002

-設(shè)計了中試型的全自動化監(jiān)控的MOCVD，用于外延硅基GaN

-設(shè)計制造了聚氨酯薄膜的卷繞式鍍膜機

2005

-設(shè)計制造了中國di*yi臺完全自主的MBE(分子束外延設(shè)備)，用于外延光電半導(dǎo)體材料

2007

-設(shè)計超高溫CVD 和MBE，用于4H晶型SiC外延生長

-設(shè)計制造了光學(xué)級金剛石生長設(shè)備（采用熱激發(fā)技術(shù)和CVD技術(shù)）

2015

-設(shè)計制造了金剛石涂層制備設(shè)備，制備了金剛石電極、微米晶和納米晶金剛石薄膜、導(dǎo)電金剛石薄膜

2017