微電子分析測(cè)試真空探針臺(tái)SCG-4類目 > 商鋪首頁(yè) > 產(chǎn)品展示 > 深圳市分析測(cè)試廠家_供應(yīng)微電子分析測(cè)試真空探針臺(tái)SCG-4

供應(yīng)微電子分析測(cè)試真空探針臺(tái)SCG-4

深圳市分析測(cè)試廠家

價(jià)格： 電議

物流： 暫無物流地址| 買家支付運(yùn)費(fèi)

可銷售總量： 0件

手機(jī)： 15338745912 郵箱： Peter@semishare.com

傳真： 0755-27332216 地址： 廣東深圳市

在線詢盤聯(lián)系廠家：15338745912 0755-26906952

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低溫和高溫真空探針臺(tái)

SEMISHARE真空環(huán)境高低溫測(cè)試技術(shù)

以下兩個(gè)應(yīng)用需要真空測(cè)試環(huán)境。

極低溫測(cè)試:

因?yàn)榫A在低溫大氣環(huán)境測(cè)試時(shí)，空氣中的水汽會(huì)凝結(jié)在晶圓上，會(huì)導(dǎo)致漏電過大或者探針無法接觸電極而使測(cè)試失敗。避免這些需要把真空腔內(nèi)的水汽在測(cè)試前用泵抽走，并且保持整個(gè)測(cè)試過程泵的運(yùn)轉(zhuǎn)。

高溫?zé)o氧化測(cè)試：

當(dāng)晶圓加熱至300℃,400℃,500℃甚至更高溫度時(shí)，氧化現(xiàn)象會(huì)越來越明顯，并且溫度越高氧化越嚴(yán)重。過度氧化會(huì)導(dǎo)致晶圓電性誤差，物理和機(jī)械形變。避免這些需要把真空腔內(nèi)的氧氣在測(cè)試前用泵抽走，并且保持整個(gè)測(cè)試過程泵的運(yùn)轉(zhuǎn)。

晶圓測(cè)試過程中溫度在低溫和高溫中變換，因?yàn)闊崦浝淇s現(xiàn)象，定位好的探針與器件電極間會(huì)有相對(duì)位移，這時(shí)需要針座的重新定位，SEMISHARE針座位于腔體外部。我們也可以選擇使用操作桿控制的自動(dòng)化針座來調(diào)整探針的位置。

SCG-C-4(閉循環(huán))/SCG-O-4(開循環(huán))特點(diǎn)：

載物Chuck 溫度范圍：4.2K-480K

外置4個(gè)定位針臂

探針X-Y-Z三方向移動(dòng)，行程：25mm，定位精度：10微米

最多可以外置6個(gè)定位針臂

載物chuck 可到2寸

雙chuck高低溫時(shí)達(dá)到100FA 的測(cè)試精度

針臂定位精度可以升級(jí)為0.7微米

極限真空到10-10 torr

可以選擇射頻配件做67 GHz的射頻測(cè)試

可以選擇防震桌

可以選擇超高真空腔體

客戶訂制

溫控規(guī)格:

控溫范圍	4K-480K
控溫精度	0.1K
溫度穩(wěn)定性	4 K + - 0.2 K
	77 K + - 0.1 K
	373 K + - 0.08 K
	473 K + - 0.1 K
	823 K + - 0.2 K(可選)
	973 K + - 1.0K(可選)
常溫到8K冷卻時(shí)間:	1小時(shí)40分鐘
8K到常溫升溫時(shí)間:	1小時(shí)30分鐘
從常溫開始的升溫時(shí)間	200 ℃ 550℃ 700 ℃
(4 chuck，單位分：秒)	1:00 1:30 2:00
電源	直流
材質(zhì)	不銹鋼
功率(4chuck)	850W

機(jī)械規(guī)格

針座行程
X軸方向	25.4mm(1 inch)
	可以選擇50.8mm
Y軸方向	25.4mm(1 inch)
	可以選擇50.8mm
Z軸方向	25.4mm(1 inch)
	可以選擇50.8mm
移動(dòng)精度
X軸方向	10 micron
	可以選擇0.35,0.7,5,10 or 20 micron
Y軸方向	10 micron
	可以選擇0.35,0.7,5,10 or 20 micron
Z軸方向	10 micron
	可以選擇0.35,0.7,5,10 or 20 micron
探針可旋轉(zhuǎn)角度	+-5 度

光學(xué)部件規(guī)格

顯微鏡X-Y軸方向行程	2"*2"
	可以選擇4"*4"
總共放大倍率	240X
	可以選擇更高倍率
真空腔觀察窗口	2 inch
	外部石英材質(zhì)99%紅外線穿過率
	內(nèi)部吸收紅外線僅可見光通過
光源	150W可連續(xù)調(diào)節(jié) 雙光纖導(dǎo)引