IGBT功率器件測試服務(wù)長禾

1. 靜態(tài)參數(shù)測試 （1）柵-射大漏電流IGES測試 ，該項測試在額定的G-E電壓下進行。測試時將G-E短路。其測試原理如圖1a所示。通常情況下，Vdrive=±20V。此時IGES(+)＜100nA，而IGES(-)＞-100nA. （2）柵閾值電壓VCE(th)測試在該項測試中，須將G-E短路，測試原理如圖1b所示。從集電注入一恒定的電流，此時因IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)，故不會有電流從C-E結(jié)間流過。G-E間固有的電容開始充電，當G-E結(jié)上電壓達到VGE(th)時，IGBT開始導通。此時，將有電流從C-E結(jié)流過，通過監(jiān)控該電流就能達到測試VGE(th)的目的。VGE(th)呈負溫度系數(shù)特性，經(jīng)過測試，其溫度系數(shù)為：-11mV/℃。例如，在25℃時，VGE(th)=3V,到150℃時，VGE(th)只有1.63V。 （3）C-E通態(tài)壓降VCE(on)測試即指在額定集電電流Ie和額定G-E電VGE下的G-E通態(tài)壓降。該參數(shù)是IGBT營業(yè)中的重要參數(shù)，其大小直接決定通態(tài)損耗的大小。測試原理圖見圖2a。 （4）續(xù)流二管的正向壓降VEM測試即指IGBT模塊中與IGBT芯片反并的續(xù)流二管的正向壓降。該值與IGBT模塊的關(guān)斷特性緊密相關(guān)，若VEM小，則IGBT關(guān)斷速度快，關(guān)斷損耗會減小，但守斷時IGBT上的過沖電壓尖峰較高；反之，則會造成關(guān)斷損耗其測試原理如圖2b所示 （5）C-E漏電流ICES測試進行該項測試時，G-E應(yīng)短路，在C-E上加IGBT的額定電壓Ve set.測試原理圖見圖3a。 （6）G-E阻斷電壓VCES(Bias)測試進行該項測試時，柵和發(fā)射應(yīng)短路。在的集電電流值ICset下，集-射上的小電壓即為VCES(Bias)。通常情況下，Ie set=1mA.測試電路見圖3b。 IGBT的阻斷電壓隨結(jié)溫的上升而上升。對于額定電壓為600V的IGBT，其VCES(Bias)通常為25℃時的阻斷電壓，因為它隨溫度下降而降低，所以在-40℃時，額定電壓600V的IGBT模塊，其VCES(Bias)≈550V。 2. 動態(tài)參數(shù)測試 （1）擎住電流LUT測試IGBT的縱向結(jié)構(gòu)為pnpn4層結(jié)構(gòu)，如果條件合適，踏能像晶閘管一樣擎住，此時IGBT的負載為阻性負載。通常情況下，集電電壓VCC為額定電壓60%擎住電流為額定電流的兩倍。LUT測試的時序如圖4所示。通常測試系統(tǒng)的電流保護值Iprot設(shè)定為額定電流的3.5~4倍。 （2）能耗Eloss測試對于電路設(shè)計者來說，開關(guān)過程中元件內(nèi)部的能量損耗非常重要，藉此可以計算出開關(guān)損耗的平均值。進行此項測試時，IGBT的負載為負載?？偟拈_關(guān)損耗值由兩部分組成：①開通損耗Eon,其中包括與IGBT芯片反并續(xù)流二管的反向恢復(fù)損耗；②關(guān)斷損耗Eoff,包括電流拖尾部分的損耗。IGBT開關(guān)損耗波形如圖5所示。 （3）反偏安全工作區(qū)（RBSOA）測試該項測試主要用于考核IGBT模塊關(guān)斷時工作在大電流和電壓下的工作能力。此時，IGBT的負載為負載，其測試原理圖和參考波形如圖6a所示。 直流參數(shù) MOSFET、IGBT、DIODE等模塊產(chǎn)品； 檢測電壓：7500V 檢測電流：6000A ，IEC 雪崩能量 MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半導體器件等單管器件 檢測電壓：2500V 檢測電流：200A 美軍標 柵電阻 MOSFET、IGBT及第三代半導體器件 檢測阻0.1Ω～50Ω JEDEC 開關(guān)時間 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體單管器件； 檢測電壓：1200V 檢測電流：200A