碳化硅器件測試中心長禾

檢測項(xiàng)目 覆蓋產(chǎn)品 檢測能力 參考標(biāo)準(zhǔn) 直流參數(shù) MOSFET、IGBT、DIODE等模塊產(chǎn)品； 檢測電壓：7500V 檢測電流：6000A ，IEC 雪崩能量 MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 檢測電壓：2500V 檢測電流：200A 美軍標(biāo) 柵電阻 MOSFET、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件 檢測阻0.1Ω～50Ω JEDEC 開關(guān)時(shí)間 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體單管器件； 檢測電壓：1200V 檢測電流：200A 美軍標(biāo)，，IEC等 開關(guān)時(shí)間 IGBT等模塊產(chǎn)品 檢測電壓：2700V 檢測電流：4000A ，IEC 反向恢復(fù) MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 檢測電壓：1200V 檢測電流：200A 美軍標(biāo)，，IEC等 反向恢復(fù) IGBT等模塊產(chǎn)品 檢測電壓：2700V 檢測電流：4000A ，IEC 柵電荷 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 檢測電壓：1200V 檢測電流：200A 美軍標(biāo)，，IEC等 柵電荷 IGBT等模塊產(chǎn)品 檢測電壓：2700V 檢測電流：4000A ，IEC 短路耐量能力 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 檢測電壓：1200V 檢測電流：1000A 美軍標(biāo)，，IEC等 短路耐量能力 IGBT等模塊產(chǎn)品 檢測電壓：2700V 檢測電流：10000A ，IEC 結(jié)電容 MOSFET、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 檢測電壓：3000V IEC 參數(shù)曲線掃描 MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件的I-V、C-V曲線 檢測電壓：3000V 檢測電流：1500A 溫度：-70°C~180°C 美軍標(biāo)，IEC等 熱阻性能 MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導(dǎo)體器件等單管產(chǎn)品 功率：250W 美軍標(biāo)，JEDEC 熱阻性能 IGBT等模塊產(chǎn)品 功率：4000W 美軍標(biāo)，JEDEC ESD能力 MOSFET、IGBT、IC等產(chǎn)品 HBM電壓：8000V；MM電壓：800V 美軍標(biāo)，ANSI，JEDEC等 *正向浪涌能力 DIODE（Si/SiC）、整流橋 檢測電流：800A 美軍標(biāo)，