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功率器件MOSFET動靜態(tài)參數(shù)測長禾

西安市功率器件廠家

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詳細信息（功率器件MOSFET動靜態(tài)參數(shù)測長禾）

品牌： FLUKE/福祿克
型號： 長禾
加工定制： 是
類型： 線材測試儀

產(chǎn)品參數(shù)

品牌：FLUKE/福祿克 型號：長禾 加工定制：是 類型：線材測試儀

產(chǎn)品特點

IGBT模塊簡介 IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙型晶體管）的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入為MOSFET，輸出為PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點，既具有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點，又具有雙型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用，在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。可知，若在IGBT的柵G和發(fā)射E之間加上驅(qū)動正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電C與基之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通；若IGBT的柵和發(fā)射之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵G—發(fā)射E間施加十幾V的直流電壓，只有在uA級的漏電流流過，基本上不消耗功率。

產(chǎn)品實拍

標(biāo)簽：西安市功率器件西安市功率器件廠家