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IGBT模塊簡介 IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙型晶體管)的縮寫,IGBT是由MOSFET和雙型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其輸入為MOSFET,輸出為PNP晶體管,它融和了這兩種器件的優(yōu)點,既具有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點,又具有雙型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點,其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi),在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用,在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。 可知,若在IGBT的柵G和發(fā)射E之間加上驅(qū)動正電壓,則MOSFET導(dǎo)通,這樣PNP晶體管的集電C與基之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通;若IGBT的柵和發(fā)射之間電壓為0V,則MOS 截止,切斷PNP晶體管基電流的供給,使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件,在它的柵G—發(fā)射E間施加十幾V的直流電壓,只有在uA級的漏電流流過,基本上不消耗功率。
注冊資金:1000萬-5000萬
聯(lián)系人:胡女士
固話:029-81153217
移動手機:18392627863
企業(yè)地址:陜西 西安市 雁塔區(qū)