鵬城半導(dǎo)體 LPCVD設(shè)備

LPCVD設(shè)備是在低壓高溫的條件下，通過(guò)化學(xué)反應(yīng)氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si₃N₄、SiO₂及Poly硅薄膜）?？捎糜诳茖W(xué)研究、實(shí)踐教學(xué)、小型器件制造。

小型LPCVD

設(shè)備結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)：

1、小型化，方便實(shí)驗(yàn)室操作和使用，大幅降低實(shí)驗(yàn)成本

兩種基片尺寸2英寸或4英寸；每次裝片1～3片。

基片放置方式：配置三種基片托架，豎直、水平臥式、帶傾角。

基片形狀類(lèi)型：不規(guī)則形狀的散片、φ2～4英寸標(biāo)準(zhǔn)基片。

2、設(shè)備為水平管臥式結(jié)構(gòu)

由石英管反應(yīng)室、隔熱罩爐體柜、電氣控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)、壓力控制系統(tǒng)及氣瓶柜等系統(tǒng)組成。

反應(yīng)室由高純石英制成，耐腐蝕、抗污染、漏率小、適合于高溫使用；設(shè)備電控部分采用了的檢測(cè)和控制系統(tǒng)，量值準(zhǔn)確，性能穩(wěn)定、可靠。

設(shè)備主要技術(shù)指標(biāo)

類(lèi)型	參數(shù)
成膜類(lèi)型	Si3N4、Poly-Si、SiO2等
溫度	1200℃
恒溫區(qū)長(zhǎng)度	根據(jù)用戶(hù)需要配置
恒溫區(qū)控溫精度	≤±0.5℃
工作壓強(qiáng)范圍	13～1330Pa
膜層不均勻性	≤±5％
基片每次裝載數(shù)量	標(biāo)準(zhǔn)基片:1～3片;不規(guī)則尺寸散片:若干
壓力控制	閉環(huán)充氣式控制
裝片方式	手動(dòng)進(jìn)出樣品

生產(chǎn)型LPCVD設(shè)備

設(shè)備功能

該設(shè)備是在低壓高溫的條件下，通過(guò)化學(xué)反應(yīng)氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si₃N₄、SiO₂及Poly硅薄膜）。

可提供相關(guān)鍍膜工藝。

設(shè)備結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)

設(shè)備為水平管臥式結(jié)構(gòu)，由石英管反應(yīng)室、隔熱罩爐體柜、電氣控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)、壓力控制系統(tǒng)及氣瓶柜等系統(tǒng)組成。

反應(yīng)室由高純石英制成，耐腐蝕、抗污染、漏率小、適合于高溫使用；設(shè)備電控部分采用了的檢測(cè)和控制系統(tǒng)，量值準(zhǔn)確，性能穩(wěn)定、可靠。

整個(gè)工藝過(guò)程由計(jì)算機(jī)對(duì)全部工藝流程進(jìn)行管理，實(shí)現(xiàn)爐溫、氣體流量、壓力、閥門(mén)動(dòng)作、泵的啟閉等工藝參數(shù)進(jìn)行監(jiān)測(cè)和自動(dòng)控制。也可以手動(dòng)控制。

設(shè)備主要技術(shù)指標(biāo)

類(lèi)型	參數(shù)
成膜類(lèi)型	Si3N4、Poly-Si、SiO2等
溫度	1200℃
恒溫區(qū)長(zhǎng)度	根據(jù)用戶(hù)需要配置
恒溫區(qū)控溫精度	≤±0.5℃
工作壓強(qiáng)范圍	13～1330Pa
膜層不均勻性	≤±5％
基片每次裝載數(shù)量	100片
設(shè)備總功率	16kW
冷卻水用量	2m3/h
壓力控制	閉環(huán)充氣式控制
裝片方式	懸臂舟自動(dòng)送樣

軟件控制界面

關(guān)于我們

鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司，由哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）與有多年實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的工程師團(tuán)隊(duì)共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于技術(shù)前沿、市場(chǎng)前沿和產(chǎn)業(yè)前沿的交叉點(diǎn)，尋求創(chuàng)新yin*ling與可持續(xù)發(fā)展，解決產(chǎn)業(yè)的痛點(diǎn)和國(guó)產(chǎn)化難題，爭(zhēng)取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。

鵬城微納技術(shù)（沈陽(yáng)）有限公司是鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司全資子公司，是半導(dǎo)體和泛半導(dǎo)體工藝和裝備的設(shè)計(jì)中心和生產(chǎn)制造基地。

公司核心業(yè)務(wù)是微納技術(shù)與gao*duan精密制造，具體應(yīng)用領(lǐng)域包括半導(dǎo)體和泛半導(dǎo)體材料、工藝、裝備的研發(fā)設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造、工藝技術(shù)服務(wù)及裝備的升級(jí)改造，可為用戶(hù)提供工藝研發(fā)和打樣，可為生產(chǎn)企業(yè)提供生產(chǎn)型設(shè)備，可為科學(xué)研究提供科研設(shè)備。

公司人才團(tuán)隊(duì)知識(shí)結(jié)構(gòu)完整，有工程師哈工大和博士，為核心的高水平材料研究和工藝研究團(tuán)隊(duì)，還有來(lái)自工業(yè)界的裝備設(shè)計(jì)師團(tuán)隊(duì)，他們具有30多年的半導(dǎo)體材料研究、外延技術(shù)研究和半導(dǎo)體薄膜制備成套裝備設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造的經(jīng)驗(yàn)。

公司依托于哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳），具備的半導(dǎo)體研發(fā)設(shè)備平臺(tái)和檢測(cè)設(shè)備平臺(tái)，可以在高起點(diǎn)開(kāi)展科研工作。公司總部位于深圳市，具備半導(dǎo)體和泛半導(dǎo)體裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、調(diào)試以及器件的中試、生產(chǎn)、銷(xiāo)售的能力。

公司團(tuán)隊(duì)技術(shù)儲(chǔ)備及創(chuàng)新能力

1998~2002

-設(shè)計(jì)了中試型的全自動(dòng)化監(jiān)控的MOCVD，用于外延硅基GaN

-設(shè)計(jì)制造了聚氨酯薄膜的卷繞式鍍膜機(jī)

2005

-設(shè)計(jì)制造了中國(guó)di*yi臺(tái)完全自主的MBE(分子束外延設(shè)備)，用于外延光電半導(dǎo)體材料

2007

-設(shè)計(jì)超高溫CVD 和MBE，用于4H晶型SiC外延生長(zhǎng)

-設(shè)計(jì)制造了光學(xué)級(jí)金剛石生長(zhǎng)設(shè)備（采用熱激發(fā)技術(shù)和CVD技術(shù)）

2015

-設(shè)計(jì)制造了金剛石涂層制備設(shè)備，制備了金剛石電極、微米晶和納米晶金剛石薄膜、導(dǎo)電金剛石薄膜

2017

-優(yōu)化Rheed設(shè)計(jì)，開(kāi)始生產(chǎn)型MBE設(shè)計(jì)

-開(kāi)始研發(fā)PSD方法外延GaN的工藝和裝備

2019

-設(shè)計(jì)制造了大型熱絲CVD金剛石薄膜的生產(chǎn)設(shè)備

2021

-鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司成立

2022

-子公司鵬城微納成立；

-熱絲CVD設(shè)備、高真空磁控濺射儀、電子束蒸鍍機(jī)、分子束外延與磁控濺射聯(lián)用設(shè)備多套出貨

-獲得ISO9001質(zhì)量管理體系

2023

-PSD方法外延GaN裝備與工藝的技術(shù)攻關(guān)；

-科技型中小企業(yè)-入庫(kù)編號(hào)202344030500018573；

-創(chuàng)新型中小企業(yè)；

-獲50+項(xiàng)*；

-企業(yè)信用評(píng)價(jià)AAA級(jí)信用企業(yè)；/ISO三體系認(rèn)證；

-子公司晶源半導(dǎo)體成立

2024~2026

-與jun*gong和shang*shi*tou*bu*qi*ye*客戶(hù)合作取得突破（X *guang*gan*板及光電器件的薄膜生長(zhǎng)）

-鵬城微納技術(shù)（沈陽(yáng)）有限公司子公司擴(kuò)產(chǎn)

-TGV/TSV/TMV

-wei*guang*tan*測(cè)、yi*liao*ying*xiang、fu*he*ying*zhi*tu*層

-gao*xin*ji*shu企業(yè)

one*three*sex*three*two*seven*five*0*0*one*seven

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