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高溫門試驗(HTGB) MOSFET、SiC MOS等單管器件 溫度150℃; 電壓2000V 美軍標(biāo),,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等 高溫工作壽命試驗(HTOL) MOSFET、IGBODE、BJT、SCR、IC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 溫度150℃ 電壓2000V 美軍標(biāo),,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等 低溫工作壽命試驗(LTOL) MOSFET、IGBODE、BJT、SCR、IC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 溫度80℃ 電壓2000V 美軍標(biāo),,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等 高溫儲存試驗(HTSL) MOSFET、IGBODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 溫度150℃; 美軍標(biāo),,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
注冊資金:1000萬-5000萬
聯(lián)系人:胡女士
固話:029-81153217
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企業(yè)地址:陜西 西安市 雁塔區(qū)